10月27日，中科院上海光學精密機械研究所夏長泰研究員承擔的上海市科委半導體照明專項“新型GaN基LED熒光襯底—摻質鋁酸鹽晶體生長與性能研究”通過驗收。該項目通過優(yōu)化生長工藝，制備出了離子或過渡金屬離子摻雜的MgAl₆O₁₀、ScAlMgO₄單晶，在新型熒光襯底發(fā)光結構的白光LED制備上形成一條新的技術路線。
通過實驗，V摻質的MgAl₆O₁₀晶體在紫外光激發(fā)下可直接得到白光輸出，證明它是一種潛在的白光LED熒光襯底材料。在國際上首次在MgAl₂O₄：Mn²⁺、Cr³⁺中觀察到了Mn²⁺和Cr³⁺兩種發(fā)光中心之間的能量傳遞，提出了MgAl₂O₄：Mn²⁺、Cr³⁺單晶可用作GaN基白光LED的熒光襯底。
實驗也發(fā)現(xiàn)，MgAl₆O₁₀：Mn²⁺、Cr³⁺單晶也可用作GaN基白光LED的熒光襯底，并系統(tǒng)研究不同摻雜濃度對MgAl₆O₁₀、ScAlMgO₄熒光襯底的物化性能和發(fā)光特性的影響。
該項目還成功地將新型熒光襯底與藍光LED配合獲得了白光輸出。寬禁帶半導體發(fā)光二級管（LED），是固體照明的新型光源，具有廣泛的應用價值。